RADX Technologies développe des modules SSD RAID

Rédigé par  vendredi, 07 juin 2019 14:14

L’américain propose désormais des modules SSD RAID NVMe au format PXI Express 3U simple largeur, pour les applications radiologicielles et de test et de mesure.

A l’occasion de l’édition 2019 de NI Week, organisée du 20 au 23 mai dernier à Austin, dans le Texas, par son compatriote National Instruments, l’américain RADX Technologies, spécialisé dans les solutions radiologicielles et de test et de mesure sur étagère, vient de lancer la série Trifecta-SSD un ensemble de modules SSD RAID NVMe au format PXI Express (PXIe) 3U simple largeur.

« Avec une bande passante RF de 1 GHz par canal, les systèmes d'enregistrement et de lecture RF/FI LibertyGT écrivent 5 Go/s par canal sur un disque dur SSD RAID, ce qui ne permet de stocker que 13 min de données avec un module de 4 To. Nos clients demandent des missions multiples et des heures de temps record, ce qui nécessiterait cinq emplacements PXIe par canal », rappelle Ross Q. Smith, cofondateur et CEO de RADX Technologies.

L'architecture PCIe Gen 3 x8 des modules Trifecta-SSD combine quatre ou huit disques SSD NVMe M.2 dans un seul module PXIe, d’une capacité de 8, 16 ou 31 To, soit 2 à 8 fois plus que les autres modules SSD RAID à un emplacement. Optimisés pour les applications RF/FI à large bande, les nouveaux modules supportent une vitesse d’écriture séquentielle de 6,9 Go/s et une vitesse de lecture séquentielle supérieure à 7 Go/s, selon la configuration et l'application.

Les modules Trifecta-SSD prennent en charge les systèmes d'exploitation Windows 64 bits et certaines distributions Linux sur demande. « Nous avons d'abord envisagé ces modules uniquement pour nos systèmes LibertyGT. Mais étant donné le besoin de l'industrie pour un stockage à large bande abordable, nous pensions qu'il pourrait y avoir une forte demande pour de tels produits », ajoute Wade Lowdermilk, cofondateur et CTO de RADX Technologies.

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Susceptance
La tension U aux bornes d’un équipement électrique et le courant I qui le traverse sont liés par la relation I = Y.U, où Y est l’admittance. I s’exprime en ampères, U en volts et Y en siemens (S) ou mho (ohm, à l’envers).
L’admittance peut aussi s’écrire (par analogie avec l’expression de l’impédance) : Y = G + jB, où G est la conductance et B la susceptance.