Les Capteurs À Technologie Terps S'industrialisent

Le 01/06/2012 à 17:00  

D eux ans après la plateforme UNIK 5000 à technologie piézorésistive (voir Mesures n° 824) , l'américain GE Measurement & Control Solutions a lancé pour les applications “haut de gamme” (aérospatiale, pétrochimie, océanographie, métrologie, instrumentation industrielle…) une nouvelle plate-forme de capteurs de pression, composé d'ores et déjà des modèles RPS 8000 et DPS 8000. La particularité de cette plateforme est qu'elle repose sur la technologie à silicium résonant ou TERPS, pour Trench Etched Resonant Pressure .

Un champ électrostatique met en résonance la structure en silicium et, lorsqu'une pression est appliquée, le résonateur est étiré et sa fréquence change selon la pression. « Il ne s'agit pas réellement d'une nouvelle technologie car la société Druck [elle a été rachetée par General Electric en 2002, NDR], l'utilisait déjà il y a plus d'une dizaine d'années. Les différences essentielles entre les capteurs RTP existants et ceux que nous venons d'introduire résident dans l'élément sensible proprement dit et le procédé de fabrication », explique Jérôme Ignacio, spécialiste des produits de pression pour l'Europe et l'Afrique du Nord chez le fabricant.

La première innovation est en effet le passage d'une fabrication “artisanale”, à très petit volume, vers un procédé d'usinage permettant d'améliorer rendement et délais, et d'étendre les possibilités du capteur grâce notamment à une collaboration avec des universités. «Trois technologies sont désormais mises en œuvre pour la fabrication des nouveaux capteurs : les wafers SOI [Silicon-on-Insulator ou silicium sur isolant , NDR ], les connexions par fusion de silicium [Silicon Fusion Bonding ou SFB, NDR ] et la gravure à ions réactifs profonde [ Deep Reactive Ion Etching ou DRIE, NDR] » , indique Jérôme Ignacio.

De par leur technologie TERPS, les capteurs de pression RPS 8000 et DPS 8000 de GE Measurement & Control Solutions affichent un rapport de dix en termes de précision et de stabilité avec les modèles piézorésistifs.

DR

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