Keithley Instruments annonce le système 4225-PMU de mesures I-V pour la caractérisation des semi-conducteurs Cmos sans exclure les composants high K et les technologies Cmos avancées telles que les Silicon-on-Insulator (SOI). Il est également destiné à la caractérisation des matériaux de type III-V comme le nitrure de gallium (GaN), l’arseniure de gallium (GaAs)
• Intègre les fonctionnalités de génération de signaux et de mesures de courant et tension
• Programmation des temps de montée, de descente et de largeurs des impulsions
• Capacité de fonctionner en générateur I-V
• 2 voies intégrées fonctionnant en générateur et mesure dans un même module
• Le module 4225-PMU s’intègre dans un des emplacements du châssis du modèle 4200-SCS
• Chaque châssis peut accepter un maximum de quatre modules
• Chaque voie permet de générer des impulsions de tension de largeurs allant de 60 ns jusqu’au continu
• Mesures de tension et courant à des vitesses d’acquisition pouvant atteindre 200 Méch./s grâce à 2 convertisseurs analogiques/ numériques de 14 bits par voie
• Choix entre deux gammes de génération en tensions (±10 V ou ±40 V sous 1 Mohm) et 4 gammes de mesures de courant (800 mA, 200 mA, 10 mA et 100 µA)
• Chaque 4225-PMU peut être équipé, en option, de 2 modèles 4225-RPM (amplificateur/commutateur télécommandés)
• 4 options de balayages programmables : linéaire, en mode impulsion, signal aléatoire et segment ARB (brevet en cours)
• Le mode Segment ARB simplifie la création, le stockage, et la production de signaux formés à partir de 2048 segments définis
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