Des chercheurs allemands ont caractérisé des semi-conducteurs poreux

Le 10/07/2014 à 14:31  

Selon l’Agence pour la diffusion de l'information technologique (ADIT ; www.bulletins-electroniques.com/actualites/75766.htm) et l'Ambassade de France à Berlin, des chercheurs de l'Institut de physique de l'Université d'Augsbourg en Bavière (Allemagne) ont publié dans la revue Advanced Functional Materials des résultats concernant les caractéristiques de semi-conducteurs poreux. Ces structures organométalliques, comme celle synthétisé par Dirk Volkmer et son équipe de l'Institut de chimie des solides de l'Université d'Augsbourg (MFU-4), peuvent voir leur conductivité électrique être modifiée par l'échange d'ions de cobalt ou de zinc. La matrice réagit en effet à ses ions, ce qui modifie sa structure, et des composés dont les caractéristiques s'approchent de celles des semi-conducteurs connus, comme le sélénium, sont ainsi créés. Ces matériaux disposent en outre d'une surface intérieure beaucoup plus importante, ce qui permet d'envisager de nombreuses applications, telles que des capteurs, les molécules à analyser pénétrant dans le matériau et modifiant certaines grandeurs physiques. L'objectif à terme de l'équipe est le développement de matériaux multifonctionnels reposant sur de tels semi-conducteurs.

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