Outils d’analyse pour les semi-conducteurs

Le 21/11/2017 à 13:00  

# Helios G4 : retraitement et fourniture d’une microscopie électronique à balayage (SEM) à ultra haute résolution, pour une large variété de composants à semi-conducteurs

# Localisation de défauts en technologie 14 nm et inférieures, retraitement en technologie en-dessous de 7 nm

# Plasma FIB et chimie Dx propriétaire assurant l’exposition des couches métalliques, permettant l’isolation des dafauts électriques et l’analyse avec les nanosondes du constructeur

# Fraisage 10 à 20 fois plus rapide que les solutions FIB traditionnelles (Ga+), arrêt automatique du fraisage dès que la couche métallique ou de via recherchée est exposée

# flexProber mis en œuvre pour l’isolation rapide des défauts électriques dans le cadre de l’identification et la localisation des défauts au niveau des interconnexions et des transistors dans les wafers

# Nouvelle colonne de SEM conçue pour les applications de sondage (probing), avec une amélioration d’un facteur 2 en termes de résolution comparé au nProber II

# Thermis S fourniture d’une imagerie à résolution atomique et d’une analyse chimique à haut débit, pour les technologies inférieurs à 20 nm

# Colonne 80-200 kV, alignements automatisés, source XFAG et spectromètre à rayons X DualX

Thermo Fisher Scientific France

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